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Infineon Technologies 英飞凌

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描述： DIODE GEN PURP 650V 8A TO220-2
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二极管类型：标准
电流 - 平均整流（io）：8A
不同 if 时的电压 - 正向（vf）：2.3V @ 8A
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反向恢复时间（trr）：40ns
不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：40µA @ 650V
丝印：
外壳：
封装：TO-220-2
料号：E3-2750
包装：
参考价格:￥13.729500
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品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌
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二极管类型：标准
电流 - 平均整流（io）：250mA（DC）
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速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
反向恢复时间（trr）：4ns
不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：1µA @ 75V
丝印：
外壳：
封装：PG-SOT323-3
料号：E3-12959
包装：
参考价格:￥13.729500
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丝印：
外壳：
封装：PG-SOT23-3
料号：E3-12961
包装：
参考价格:￥13.729500
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品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌
描述： DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3
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丝印：
外壳：
封装：PG-SOT23-3
料号：E3-12964
包装：
参考价格:￥13.729500
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描述： DIODE GEN PURP 80V 200MA TSLP-2
参数： *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:8A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.3V @ 8A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:40ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:40µA @ 650V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 17 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:250mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:4ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:1µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:150°C（最大） 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:250mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:4ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:1µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:150°C（最大） 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:250mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:4ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:1µA @ 70V 不同 Vr、F 时电容:1.5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:250mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:4ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:1µA @ 70V 不同 Vr、F 时电容:1.5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:250mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 200mA *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:50ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 200V 不同 Vr、F 时电容:5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:150°C（最大） 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:250mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:1.5µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5nA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:150°C（最大） 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:200mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:4ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:1µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:150°C（最大） 包装:
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描述： DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD323
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二极管类型：肖特基
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丝印：
外壳：
封装：PG-SOD323-2
料号：E3-12967
包装：
参考价格:￥13.729500
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可供数量:咨询
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丝印：
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二极管类型：肖特基
电流 - 平均整流（io）：120mA（DC）
不同 if 时的电压 - 正向（vf）：1V @ 40mA
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描述： DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT323
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替代：
二极管类型：肖特基
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丝印：
外壳：
封装：PG-SOT323-3
料号：E3-12971
包装：
参考价格:￥13.729500
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品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌
描述： DIODE SCHOTTKY 40V 120MA TSLP-2
参数： *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:8A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.3V @ 8A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:40ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:40µA @ 650V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 17 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:250mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:4ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:1µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:150°C（最大） 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:250mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:4ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:1µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:150°C（最大） 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:250mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:4ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:1µA @ 70V 不同 Vr、F 时电容:1.5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:250mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:4ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:1µA @ 70V 不同 Vr、F 时电容:1.5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:250mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 200mA *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:50ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 200V 不同 Vr、F 时电容:5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:150°C（最大） 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:250mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:1.5µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5nA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:150°C（最大） 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:200mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:4ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:1µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:150°C（最大） 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:250mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 200mA *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:50ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 200V 不同 Vr、F 时电容:5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:150°C（最大） 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:200mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:800mV @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:5ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:2µA @ 25V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:150°C（最大） 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:200mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:800mV @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:5ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:2µA @ 25V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:150°C（最大） 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:70mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 15mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:100ps *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 12 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:120mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 40mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:100ps *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:1µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:200mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:800mV @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:5ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:2µA @ 25V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:150°C（最大） 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:120mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 40mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:100ps *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:1µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装:
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封装：PG-TSLP-2
料号：E3-12972
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参考价格:￥13.729500
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品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌
描述： DIODE SCHOTTKY 70V 70MA TSLP-2
参数： *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:8A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.3V @ 8A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:40ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:40µA @ 650V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 17 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:250mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:4ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:1µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:150°C（最大） 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:250mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:4ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:1µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:150°C（最大） 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:250mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:4ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:1µA @ 70V 不同 Vr、F 时电容:1.5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:250mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:4ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:1µA @ 70V 不同 Vr、F 时电容:1.5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:250mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 200mA *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:50ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 200V 不同 Vr、F 时电容:5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:150°C（最大） 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:250mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:1.5µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5nA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:150°C（最大） 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:200mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:4ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:1µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:150°C（最大） 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:250mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 200mA *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:50ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 200V 不同 Vr、F 时电容:5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:150°C（最大） 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:200mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:800mV @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:5ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:2µA @ 25V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:150°C（最大） 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:200mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:800mV @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:5ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:2µA @ 25V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:150°C（最大） 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:70mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 15mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:100ps *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 12 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:120mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 40mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:100ps *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:1µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:200mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:800mV @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:5ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:2µA @ 25V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:150°C（最大） 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:120mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 40mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:100ps *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:1µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:70mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 15mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:100ps *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 12 包装:
替代：
二极管类型：肖特基
电流 - 平均整流（io）：70mA（DC）
不同 if 时的电压 - 正向（vf）：1V @ 15mA
速度：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
反向恢复时间（trr）：100ps
不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：100nA @ 50V
丝印：
外壳：
封装：PG-TSLP-2
料号：E3-12973
包装：
参考价格:￥13.729500
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品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌
描述： DIODE SCHOTTKY 45V 750MA SC79-2
参数： *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:8A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.3V @ 8A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:40ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:40µA @ 650V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 17 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:250mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:4ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:1µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:150°C（最大） 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:250mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:4ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:1µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:150°C（最大） 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:250mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:4ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:1µA @ 70V 不同 Vr、F 时电容:1.5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:250mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:4ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:1µA @ 70V 不同 Vr、F 时电容:1.5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:250mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 200mA *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:50ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 200V 不同 Vr、F 时电容:5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:150°C（最大） 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:250mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:1.5µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5nA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:150°C（最大） 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:200mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:4ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:1µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:150°C（最大） 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:250mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 200mA *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:50ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 200V 不同 Vr、F 时电容:5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:150°C（最大） 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:200mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:800mV @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:5ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:2µA @ 25V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:150°C（最大） 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:200mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:800mV @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:5ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:2µA @ 25V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:150°C（最大） 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:70mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 15mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:100ps *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 12 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:120mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 40mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:100ps *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:1µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:200mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:800mV @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:5ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:2µA @ 25V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:150°C（最大） 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:120mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 40mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:100ps *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:1µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:70mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 15mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:100ps *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 12 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:750mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 200mA *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 45V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:150°C（最大） 包装:
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不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：10µA @ 45V
丝印：
外壳：
封装：PG-SC79-2
料号：E3-12974
包装：
参考价格:￥13.729500
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品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌
描述： DIODE SCHOTTKY HS 70V 70MA SC79
参数： *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:8A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.3V @ 8A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:40ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:40µA @ 650V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 17 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:250mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:4ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:1µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:150°C（最大） 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:250mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:4ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:1µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:150°C（最大） 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:250mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:4ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:1µA @ 70V 不同 Vr、F 时电容:1.5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:250mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:4ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:1µA @ 70V 不同 Vr、F 时电容:1.5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:250mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 200mA *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:50ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 200V 不同 Vr、F 时电容:5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:150°C（最大） 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:250mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:1.5µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5nA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:150°C（最大） 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:200mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:4ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:1µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:150°C（最大） 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:250mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 200mA *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:50ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 200V 不同 Vr、F 时电容:5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:150°C（最大） 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:200mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:800mV @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:5ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:2µA @ 25V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:150°C（最大） 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:200mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:800mV @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:5ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:2µA @ 25V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:150°C（最大） 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:70mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 15mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:100ps *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 12 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:120mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 40mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:100ps *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:1µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:200mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:800mV @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:5ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:2µA @ 25V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:150°C（最大） 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:120mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 40mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:100ps *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:1µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:70mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 15mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:100ps *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 12 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:750mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 200mA *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 45V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:150°C（最大） 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:70mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 15mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:100ps *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:150°C（最大） 包装:
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二极管类型：肖特基
电流 - 平均整流（io）：70mA（DC）
不同 if 时的电压 - 正向（vf）：1V @ 15mA
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料号：E3-12975
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参考价格:￥13.729500
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现货库存:0
可供数量:咨询
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品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌
描述： DIODE SCHOTTKY 30V 200MA TSLP-2
参数： *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:8A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.3V @ 8A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:40ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:40µA @ 650V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 17 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:250mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:4ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:1µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:150°C（最大） 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:250mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:4ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:1µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:150°C（最大） 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:250mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:4ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:1µA @ 70V 不同 Vr、F 时电容:1.5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:250mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:4ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:1µA @ 70V 不同 Vr、F 时电容:1.5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:250mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 200mA *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:50ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 200V 不同 Vr、F 时电容:5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:150°C（最大） 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:250mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:1.5µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5nA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:150°C（最大） 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:200mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:4ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:1µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:150°C（最大） 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:250mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 200mA *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:50ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 200V 不同 Vr、F 时电容:5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:150°C（最大） 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:200mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:800mV @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:5ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:2µA @ 25V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:150°C（最大） 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:200mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:800mV @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:5ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:2µA @ 25V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:150°C（最大） 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:70mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 15mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:100ps *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 12 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:120mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 40mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:100ps *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:1µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:200mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:800mV @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:5ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:2µA @ 25V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:150°C（最大） 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:120mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 40mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:100ps *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:1µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:70mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 15mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:100ps *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 12 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:750mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 200mA *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 45V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:150°C（最大） 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:70mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 15mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:100ps *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:150°C（最大） 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:200mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:800mV @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:5ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:2µA @ 25V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:150°C（最大） 包装:
替代：
二极管类型：肖特基
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丝印：
外壳：
封装：PG-TSLP-2
料号：E3-12976
包装：
参考价格:￥13.729500
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可供数量:咨询
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品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌
描述： DIODE SCHOTTKY 30V 500MA TSLP-2
参数： *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:8A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.3V @ 8A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:40ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:40µA @ 650V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 17 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:250mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:4ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:1µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:150°C（最大） 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:250mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:4ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:1µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:150°C（最大） 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:250mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:4ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:1µA @ 70V 不同 Vr、F 时电容:1.5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:250mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:4ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:1µA @ 70V 不同 Vr、F 时电容:1.5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:250mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 200mA *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:50ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 200V 不同 Vr、F 时电容:5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:150°C（最大） 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:250mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:1.5µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5nA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:150°C（最大） 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:200mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:4ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:1µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:150°C（最大） 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:250mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 200mA *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:50ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 200V 不同 Vr、F 时电容:5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:150°C（最大） 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:200mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:800mV @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:5ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:2µA @ 25V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:150°C（最大） 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:200mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:800mV @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:5ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:2µA @ 25V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:150°C（最大） 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:70mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 15mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:100ps *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 12 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:120mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 40mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:100ps *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:1µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:200mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:800mV @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:5ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:2µA @ 25V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:150°C（最大） 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:120mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 40mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:100ps *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:1µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:70mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 15mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:100ps *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 12 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:750mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 200mA *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 45V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:150°C（最大） 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:70mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 15mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:100ps *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:150°C（最大） 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:200mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:800mV @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:5ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:2µA @ 25V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:150°C（最大） 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:500mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:500mV @ 500mA *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:300µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:15pF @ 5V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装:
替代：
二极管类型：肖特基
电流 - 平均整流（io）：500mA（DC）
不同 if 时的电压 - 正向（vf）：500mV @ 500mA
速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
反向恢复时间（trr）：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：300µA @ 30V
丝印：
外壳：
封装：PG-TSLP-2
料号：E3-12977
包装：
参考价格:￥13.729500
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAS3005S02LRHE6327XTSA1' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
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